삼성전자와 미 IBM이 1㎓ 이상에서 작동하는 마이크로프로세서 제조 관련기술을 미 워싱턴의 반도체 학술회의인 「일렉트론 디바이스 미팅(IEDM)」에서 각각 발표했다고 「닛케이BP」가 전했다.
IBM의 발표는 명령어축약형컴퓨터(RISC)형 마이크로프로세서의 시험 제작에 사용한 SOI(Silicon on Insulator) 기술에 관한 것으로 설계기술로 0.18미크론, SOI 기판에는 지금까지 이 회사가 사용해 온 SOI기판보다 불순물 주입시간이 60% 짧은 것을 이용했다.
삼성전자의 발표는 알파 아키텍처의 마이크로프로세서를 1㎓에서 작동시키기 위해 6층의 알루미늄배선과 저(低)유전율의 절연재료를 결합시킨 설계기술로 0.18미크론, 배선간 절연재료에는 유전률이 3.0인 Fox를 사용했다.
신기성기자 ksshin@etnews.co.kr