IC 배선을 모두 기존의 알루미늄 대신 동(구리)으로 처리하는 순동배선 반도체의 주도권을 겨냥, 미국과 대만의 주요 반도체업체들이 연합 전선을 구축해 각축하는 양상을 보이고 있다.
「세미컨덕터비즈니스뉴스」에 따르면 미국 프로그래머블로직업체 알테라는 세계적인 반도체 수탁생산 업체인 대만 TSMC와 제휴해 올해 안에 순동배선 0.13미크론 디바이스의 시험 생산 등을 추진할 계획이라고 밝혔다.
알테라의 이번 발표는 경쟁사인 실린스(Xilinx)가 역시 TSMC의 라이벌인 대만 UMC와 협력해 순동배선 반도체의 생산을 추진중인 가운데 나온 것이다.
이에 따라 차세대 IC에 본격 적용하게 될 것으로 예상되는 순동배선을 둘러싼 주도권 다툼은 알테라TSMC, 실린스UMC 등의 연합체간 경쟁 구도를 보이며 한층 가속화할 것으로 예상된다.
TSMC와 UMC는 구리 반도체 생산에서의 우위 확보를 겨냥해 서둘러 구리공정을 도입해 왔으며 지금까지는 상위 2, 3개 층에는 구리배선을, 하위층은 기존의 알루미늄 배선을 적용하는 제품의 생산을 추진해 왔다.
알테라는 이번 발표에서 이미 TSMC의 0.18미크론 공정에서 순동배선 IC를 채택해 40만게이트의 시험 칩을 제조하는 데 성공했다고 밝혔다.
이 회사는 다음 단계로 0.15미크론 공정을 이용하고, 올해 말까지는 0.13미크론의 시험 칩도 선보일 계획이다.
이에 대해 UMC와 실린스 진영도 순동배선 반도체 생산을 적극 추진중인데 첫제품으로 200만게이트 FPGA를 계획하고 있다. 이 제품은 현재 알루미늄 배선의 6층 구조로 생산되고 있다.
구리 배선은 5000만∼1억개의 트랜지스터를 하나의 칩에 집적시킬 수 있고, 반도체 공정도 0.13미크론 이하로까지 고도화할 수 있어 지난 15년간 IC를 지배해 온 알루미늄을 대체할 것으로 평가되고 있다.
이 때문에 세계 주요 반도체 관련 업체들은 구리 공정 도입을 서두르고 있어 구리 반도체의 양산이 예상보다 2년 빨라져 내년 2·4분기부터 본격화할 것으로 세계 반도체장비재료협회(SEMI)는 전망하고 있다.
신기성기자 ksshin@etnews.co.kr