메모리 반도체의 차세대 주력으로 주목되는 강유전성 램(F램)의 대용량화 기술이 일본에서 잇따라 나오고 있다.
「일본경제신문」 「일경산업신문」 등에 따르면 마쓰시타전자공업(http://www.mec.panasonic.co.jp)이 지난주 F램 용량을 현재의 64kb에서 16Mb로 250배 가까이 늘릴 수 있는 대용량화 기술을 발표한 데이어 후지쯔(http://www.fujitsu.co.jp)도 이번주 초 1Mb를 구현한 신기술을 개발했다고 발표했다.
특히 이들 업체는 신기술을 오는 8월부터 순차적으로 상품화할 계획이어서 올해 안에 F램의 「메가」 시대가 열릴 것으로 예상된다.
F램은 전원 공급이 중단돼도 데이터가 소실되지 않는 불휘발성 메모리의 일종으로 D램의 대용량성과 빠른 속도로 데이터를 주고받는 S램의 특성 등을 모두 겸비해 차세대 메모리의 주력으로 주목되고 있다.
후지쯔가 이번에 개발한 기술은 데이터를 담는 커패시터(축전기)의 면적을 종래의 절반 정도로 줄여 대용량화를 도모하고 있는 것이 특징이다. 그러나 커패시터의 축소로 기록정보로 검출가능한 신호의 강도도 절반 정도로 약해지기 때문에 제조기술이나 회로기술을 새롭게 개발, 채택했다.
이 기술에서 데이터를 기억하는 메모리셀은 전기신호를 제어하는 트랜지스터 1개와 전기를 담는 커패시터 1개로 구성되며 기준 전위(電位)를 발생하는 회로를 사용해 그 값(値)을 경계로 「0」 「1」을 식별한다. 지금까지는 트랜지스터와 커패시터를 각각 2개씩 구성해 2개의 커패시터 사이에서 「0」과 「1」을 식별해 왔다.
후지쯔는 선폭 0.5미크론의 미세가공기술을 이용한 1Mb F램을 오는 8월부터 샘플출하하고, 12월부터는 양산에 나설 계획이다. 또 내년에는 선폭 0.35미크론 미세가공기술을 이용해 2∼4Mb 제품도 내놓을 방침이다.
마쓰시타전자가 개발한 기술은 저온(섭씨 650도) 상태에서 칩의 데이터저장 강유전체를 형성하는 방법으로 고집적 다계층 F램을 구현했다.
특히 이 기술 개발로 고신뢰성의 F램을 혼재한 고성능 시스템LSI를 실현할 수 있는 길이 열리게 됐다고 마쓰시타전자 측은 밝히고 있다. 마쓰시타전자는 이 기술을 이용한 신제품을 IC카드용 등으로 올해 안에 샘플출하할 계획이다.
현재 F램는 후지쯔와 마쓰시타전자 이외에 롬(http://www.roam.co.jp) 등이 생산중이며 64kb 제품이 주류를 이루고 있다.
<신기성기자 ksshin@etnews.co.kr
명승욱기자 swmay@etnews.co.kr>