일본 최대 반도체 생산업체인 NEC(http://www.nec.co.jp)가 미국과 일본에 새 반도체 공장을 설립한다.
「일본경제신문」에 따르면 이 회사는 총 3000억엔을 투입해 2002∼2003년 가동을 목표로 일본 히로시마와 미국 캘리포니아에 각각 범용메모리 공장과 시스템LSI공장을 설립키로 했다.
NEC는 특히 이들 신규 공장에 대해서는 이 회사 최초로 300㎜ 대구경 실리콘웨이퍼 설비를 도입해 제조비용을 약 30% 삭감할 계획이다.
일본 주요 반도체 업체들은 최근 몇 년간 실적 악화로 설비투자를 억제함에 따라 국제경쟁력이 크게 떨어진 상태인데, NEC는 대구경 웨이퍼를 채택한 2개 신공장을 미국과 일본에 동시에 설립하는 것을 계기로 삼성전자, 마이크로테크놀로지 등 한국과 미국 업체 등에 대한 경쟁력을 한층 높여나갈 방침이다.
일본의 신공장은 NEC의 D램 생산거점인 히로시마 공장내에 신설할 방침인데, 연내 착공하고 내년에는 클린룸을 설치해 2002년께 본격 가동할 계획이다.
이 공장에서는 256M, 1G 등 차세대 D램을 주로 생산하고, 제조라인으로는 직경 300㎜의 대구경 실리콘웨이퍼를 채택할 방침이다. 생산능력은 64M 기준으로 월간 1000만개 정도로 예정하고 있으며 이에 따라 NEC의 D램 생산능력은 현재의 1.5배 수준으로 확대될 전망이다.
미국 신공장은 현지 생산거점인 로즈빌 공장 근처에 건설키로 결정했다. 오는 2002년 클린룸 및 제조장치를 설치하고 2003년부터 본격적인 가동에 착수할 계획이며, 생산능력은 12인치 웨이퍼 기준으로 월간 약 2만장 정도로 예정하고 있다.
이 공장에서는 주로 디지털다기능디스크(DVD)플레이어 등의 디지털가전 및 정보단말기에 사용되는 시스템LSI를 생산할 계획인데, D램 생산도 병행할 방침이다.
한편 세계 반도체 시장은 향후 2∼3년 동안 연평균 15∼20% 성장할 것으로 전망된다. <명승욱기자 swmay@etnews.co.kr>