일본 마쓰시타전기산업은 소비전력을 현격히 낮출 수 있는 실리콘 양자(量子)메모리 개발에 성공했다고 발표했다.
마쓰시타가 이번에 개발한 양자메모리는 실리콘(규소)원료의 양자소자와 스위치소자를 한 장의 기판상에 집적한 것이다.
지금까지 갈륨비소 등 화합물반도체소자를 사용한 양자메모리는 개발됐지만 실리콘양자소자를 사용한 양자메모리는 마쓰시타가 세계 처음이다.
마쓰시타 양자메모리의 작동전압은 0.4V로 현행 주력 메모리의 약 7분의 1이다. 소비전력으로 환산하면 기존의 50분의 1 정도인데, 소자수를 기존의 절반인 3개로 줄일 수 있기 때문에 최종적으로는 소비전력을 100분의 1 수준으로까지 낮출 수 있다
이 양자메모리는 또 실리콘원료 소자를 사용하기 때문에 기존 실리콘반도체 기술을 응용할 수 있다.
마쓰시타는 이 양자메모리에 대해 금후 작동 속도를 향상시키고 회로를 소형화, 메모리카드나 휴대기기용으로 오는 2005년 실용화할 방침이다. <신기성기자 ksshin@etnews.co.kr>