인텔이 구리배선을 이용한 차세대 0.13㎛ 반도체 공정 기술의 개발을 완료했으며 내년 중 이를 응용한 제품을 출시할 것이라고 「세미컨덕터비즈니스뉴스」가 보도했다.
이에 따르면 인텔은 구리배선에 의한 0.13㎛ 공정의 6층 메탈레이어 기술을 이용, P860 로직 프로세서를 내년 상반기중에 출시하며 이 기술을 내년에는 200㎜ 웨이퍼, 오는 2003년 초반까지는 300㎜ 웨이퍼에 적용한다.
인텔은 『0.13㎛ 기술을 응용해 선보이는 P860 로직 프로세서는 0.18㎛ 공정에 기반한 P858 제품의 후속 모델로 기존 858에 비해 2개의 마스크 공정이 추가로 필요하지만 이로 인해 전체적인 생산 단가가 높아지지는 않을 것』이라고 주장했다.
특히 인텔은 0.13㎛ 기술의 개발로 고속 프로세서 출시에서 치열한 경쟁을 벌이고 있는 어드밴스트마이크로디바이시스(AMD)와의 기술 경쟁에서 확실한 우위를 점하게 됐다고 밝혔다.
인텔은 지난해와 올해에 걸쳐 제조상의 문제로 프로세서 기술 및 공급에서 심각한 차질을 빚은 반면 AMD는 모토로라와의 제휴로 구리배선 기술에서 인텔보다 앞서고 있는 것으로 평가돼 왔다. 또 대만의 TSMC, UMC 등 반도체업체들이 이미 0.13㎛ 공정의 웨이퍼를 올 연말부터 생산할 계획이어서 인텔은 미세 공정에 의한 반도체 제조에서 열세를 보여온 것이 사실이다.
인텔은 0.13㎛ 공정 기술의 개발과 함께 이미 이를 이용한 SD램 및 마이크로프로세서를 제조하고 있는 것으로 전해졌다. 인텔은 자사 특유의 신속한 기술 보급으로 대만 반도체업체들과의 격차도 좁힌다는 계획이다.
<명승욱기자 swmay@etnews.co.kr>