일본의 초전도체연구실험실(SRL)이 고온 초전도체를 이용해 처리속도가 최신 PC보다 135배 빠른 고온 초전도체 직접회로(IC) 유닛을 개발했다고 데일리요미우리가 보도했다.
이에 따르면 SRL의 수석연구원인 다나베 게이이치가 이끄는 연구팀은 5장의 초전도체와 5장의 절연 박막을 베이스 물질 위에 교대로 쌓아올린 조지프슨 접합 소자를 이용해 고온 초전도체 IC유닛을 만들어냈다. 특히 이 IC유닛은 비교적 높은 온도인 절대온도 40도(영하 233도)에서 활성화되는 것이 특징이다.
그동안 전세계 과학자들은 전력소모가 적고 처리속도가 빠른 초전도체 IC 개발에 매달려왔으나 초전도체 IC의 활성화온도인 절대온도 4도(영하 269도)를 유지해주는 냉각실을 만들어야 하는 어려움 때문에 벽에 부딪혀왔다.
이번에 개발된 IC유닛을 이용해 중간 규모 컴퓨터를 만들 경우 종전에 비해 전력소모를 46% 줄일 수 있는 것은 물론 처리속도도 획기적으로 끌어올릴 수 있다. 또 광섬유 신호 측정도 가능케 해줄 것으로 기대된다.
다나베팀은 수년내 조지프슨 접합 소자 100개를 조합시킨 고효율 초전도체 회로를 만들 수 있을 것으로 예상하고 있다.
이와 관련, 다나베는 “새 소자 1만개를 쌓아올리면 셀룰러 전화 기지국에 사용되는 통신 설비를 보다 소형화할 수 있다”며 “보다 빠르고 효율이 높은 컴퓨터도 만들 수 있다”고 설명했다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>