지난해 4분기 전세계 반도체 웨이퍼 처리 능력이 전분기에 비해 줄어들었으나 팹(FAB) 가동률은 오히려 늘어났다고 실리콘스트래티지스가 반도체산업협회(SIA)의 보고서를 인용해 보도했다.
SIA가 최근 발표한 반도체국제생산능력통계(SICAS)에 따르면 전세계 반도체 웨이퍼 처리능력이 지난해 4분기 주당 128만장(이하 8인치 웨이퍼 환산)으로 전분기 132만장에 비해 3.4% 줄어들었다. 웨이퍼 처리 능력이 줄어든 것은 2001년 이후 처음이다.
이같은 현상은 반도체 업체들이 오래됐거나 쓸모없게 된 팹의 가동을 서둘러 중단하고 있는 데 따른 것이다.
공정별로는 0.2미크론 이하의 최신 MOS 공정기술을 사용하는 팹의 처리 능력이 32만5800장으로 전분기 31만7200장에 비해 2.7% 늘어난 것을 제외하면 대부분 공정의 처리 능력이 감소했다.
이에 비해 4분기 팹 가동률은 65.9%로 전분기 64.2%에 비해 1.7% 늘어났다. 이중 MOS통합회로 팹 가동률과 바이폴라IC 팹은 각각 66.1%와 63.7%를 기록했으며 특히 0.2미크론 이하의 MOS 팹의 경우 가동률이 83.5%로 전분기 79%에 비해 크게 개선됐다.
한편 IC인사이츠는 최근 반도체 업체들의 자본 지출이 올해 작년대비 22% 감소한 290억달러에 머물 것으로 예상하고 당초 20%의 성장을 점쳤던 순수 파운드리 웨이퍼 처리 능력이 올해 1% 줄어들것으로 전망을 바꾸었다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>