일본 후지쯔가 아키루노테크놀로지센터에서 90나노미터 공정 기술을 이용한 반도체의 생산에 들어갔다고 EE타임스가 보도했다. 후지쯔의 생산 공정은 200㎜ 웨이퍼를 채택했으며 월 5000장의 웨이퍼 생산능력을 갖추고 있다.
후지쯔는 이번에 새로 개발한 LSI반도체가 개인 및 기업 데이터를 보호하면서 동영상 등 대용량 데이터를 고속으로 교환할 수 있다고 밝혔다. 후지쯔는 각 연구소에 흩어져 있던 연구인력을 모아 기초연구에서 시제품 생산까지 모든 과정을 아키루노테크놀로지센터에 집중해 90나노미터 공정 기술을 개발했으며 2005년까지 6억8200만달러를 투자할 계획이다.
아키루노테크놀로지센터의 클린룸은 모듈 단위로 오염을 통제할 수 있는 방법을 채택, 공장 건설 기간을 기존의 6개월에서 4개월로 줄일 수 있었다고 후지쯔는 밝혔다.
<한세희기자 hahn@etnews.co.kr>