대만 TSMC가 0.065미크론 이하 회로선폭 초미세 공정기술을 오는 2004년이나 2005년께 도입할 것이라고 자사가 개최한 ‘테크놀로지심포지엄’에서 밝혔다.
실리콘스트래티지스에 따르면 TSMC는 ‘넥시스’로 명명된 0.09미크론 기술을 공식으로 공개, 이 기술의 프로토타이핑 서비스를 이번 분기부터, 그리고 CMOS 기술을 이용한 초기 생산은 3분기부터 시작할 것이라고 밝혔다.
또 TSMC는 오는 2004∼2005년에 0.65㎚ 기술을 구현하기 위해 각종 새로운 브랜드와 미검증 장비를 자사 팹에 적용할 계획이라고 덧붙였다. 이같은 장비에는 원자층증착(ALD), 차세대리소그래피(NGL) 장비 등이 포함되며 특히 157㎚ 스캐너와 전자빔 주사리소그래피(EPL) 기술 등도 적용된다.
TSMC는 이날 행사에서 자사가 그동안 신속하게 기술을 따라잡는데 주력했지만 이제는 앞서나가는 기업이 됐다고 강조했다. 실제 이 회사는 다층주사 웨이퍼를 사용한 90㎚ 설계 포로토타이핑을 개발, 이를 2분기부터 서비스한다는 목표를 세워두고 있다.
TSMC는 이에 따라 기업문화도 이에 걸맞게 혁신할 계획이다. 이 회사 CTO인 첸밍후는 “우리는 5년 앞, 어쩌면 10년 앞을 내다봐야만 한다”며 “회사가 직면한 도전은 앞을 내다보는 사고방식”이라고 지적했다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>