지루한 부팅 과정 없이 전원을 넣자마자 바로 컴퓨터를 사용할 수 있도록 해주는 메모리 기술 개발이 잇따르고 있다.
뉴스팩터에 따르면 이달초 오사카대의 연구팀이 전원이 차단돼도 데이터가 소실되지 않는 자기램(M램)을 개발한 데 이어 휴스턴대의 텍사스초전도 및 고등재료센터의 연구팀이 비휘발성 박막 메모리 기술을 개발했다.
휴스턴대 연구팀이 개발한 기술은 일반적인 메모리가 사용하는 트랜지스터 로직 대신에 레지스터 로직을 이용해 데이터가 소실되지 않도록 한 것이 특징이다. 즉 망가나이트(manganites)로 불리는 수많은 박막 메모리 요소를 조합해 메모리를 만들고 각 박막 메모리의 전기 저항을 조절해 데이터를 저장. 처리한다. 이에 따라 데이터 처리 속도도 기존 메모리보다 빨라져 멀티미디어 콘텐츠 등 대용량 파일을 전송하거나 다운로드하는 시간도 대폭 줄여준다.
텍사스초전도 및 고등재료센터의 이사인 알렉스 이그나티에프는 이번에 개발한 메모리에 대해 “데이터를 읽고 저장하기 위해 하드디스크에서 사용되는 기계적인 부품이 필요 없으며 모든 것이 전자적으로 처리된다”며 “현재 가장 빠른 비기계 메모리인 플래시에 비해 1000배 가량 빠르다”고 주장했다.
또 휴스턴대의 박막 메모리는 가격도 저렴하기 때문에 기존 컴퓨터의 하드디스크도 대체할 수 있을 것으로 기대된다.
이와 관련, 이 기술을 라이선스한 일 샤프의 자회사인 미 샤프연구소의 이사인 솅 T 추는 “3년내 박막 메모리를 현재 메모리보다 낮은 가격으로 상용화할 것”이라며 “박막 메모리는 PC, 휴대폰, 네트워크 등 대용량 메모리를 필요로 하는 모든 장비에 사용할 수 있다”고 설명했다.
한편 샤프는 박막 메모리를 자사 제품에 통합시키는 것은 물론 다른 제조업체에도 공급할 예정이다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>