미국의 레이시온이 대만 윈세미컨덕터스와 혼합물 반도체 파운드리 제휴를 맺고 500만달러를 투자키로 했다고 실리콘스트래티지스가 보도했다.
이번 제휴로 6인치 GaAs 팹(fab)을 운영하는 윈세미는 레이시온의 무선부품 사업부인 레이시온RF컴포넌츠(RRFC)에 GaAs 반도체를 공급하게 됐으며 양사는 무선 응용제품 생산에 적용할 새 공정기술을 공동으로 개발하게 된다.
레이시온은 전력증폭기 디바이스를 비롯해 각종 휴대폰용 반도체, 무선 LAN 등의 제품을 개발중이다.
레이시온의 RRFC는 GaAs 기반 MMIC, 모듈, 무선 시스템, 모바일, 위성통신 시스템 등의 시장을 장악하고 있으며 지난 1분기부터 인듐갈륨인화물 일질접합 바이폴라트랜지스터(InGaP/GaAs HBT)를 생산하기 위한 4인치 파일럿 팹을 가동했었다.
레이시온의 사장 겸 RRFC 총괄매니저인 스티븐 캐스파는 “팹 아웃소싱으로 위험부담이나 공장 건설에 따른 투자없이 연간 웨이퍼 10만장(6인치 기준)의 생산능력을 추가했다”고 밝혔다.
윈세미의 사장 겸 CEO인 C S 우는 “이번 제휴는 GaAs 파운드리서비스가 가능하다는 것을 보여줄 뿐만 아니라 윈세미의 최신 6인치 GaAs 공정기술을 입증해준 것”이라고 말했다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>