인텔이 130㎚ 플래시메모리를 기존 아일랜드 더블린 에익슬립의 팹10, 팹14 로직 공장에서 생산키로 했다고 실리콘스트래티지스가 보도했다.
이는 로직과 메모리 반도체 생산 장비를 공유하려는 전략의 일환이다. 인텔은 지난 2000년 장비의 20%를 공유해왔으나 현재 70%의 장비를 로직과 플래시를 동시에 처리할 수 있는 장비로 구매하고 있다.
현재 팹10과 팹14는 180∼250㎚ 공정의 PC 칩세트, S램, 임베디드 프로세서 등의 로직 반도체를 생산하고 있으며 두 팹은 90년대말 팹14가 준공된 이후 청정실 연결을 통해 점진적으로 통합돼 왔다.
팹10과 팹14의 생산능력은 현재 주당 웨이퍼 9500장이다.
인텔은 팹10과 팹14의 정확한 플래시 생산일정을 공개하지 않았으나 인텔아일랜드의 홍보담당자인 라일리는 조만간 생산이 시작될 것이라고 설명했다.
한편 인텔은 300㎜ 90㎚ 공정의 팹24를 오는 2004년초에 오픈할 예정이다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>