대다수의 무선통신기기는 고주파(RF)와 중간주파수(IF), 그리고 기저대역(baseband)칩으로 구성되나 최근 저전력·초소형의 무선통신단말기를 제조하기 위해 주파수 부품과 기저대역을 하나의 칩에 통합하려는 움직임이 본격화하고 있다.
이를 위해서는 현재 기저대역칩을 제조하는 상보성금속산화막반도체(CMOS) 공정을 RF·IF 등 주파수 부문의 칩 설계 및 제조에도 적용해야 하는데 이를 위한 것이 바로 CMOS RF기술이다.
그동안 반도체업계는 RF칩 제조에 바이폴러(bipolar) 공정과 CMOS 공정을 결합한 BiCMOS 공정을 적용해 왔으나 이는 일종의 특수공정으로 제품의 성능은 쉽게 구현할 수 있지만 반도체의 집적도가 떨어질 뿐만 아니라 제조비용이 높다는 단점이 지적돼 왔다.
CMOS RF기술은 RF를 직접변환방식(direct conversion) 등으로 기저대역 수준으
로 낮게 떨어뜨려 일반적인 CMOS 공정으로도 RF칩을 제조할 수 있게 하는 것이다. 이는 결국 베이스밴드와 RF를 하나의 칩에 통합하는 핵심기술로서 무선통신
기기용 시스템온칩(SoC) 개발을 가능케 한다.