극소 전자부품의 개발이 한층 용이해질 전망이다.
와이어드(http://www.wired.com)에 따르면 최근 스코틀랜드 에딘버러에서 열린 ‘제26회 국제 반도체 물리학 콘퍼런스’에서 영국·네덜란드·스웨덴 등지의 과학자들은 서로 다른 금속을 혼합해 나노와이어를 만드는 기술을 개발했다고 밝혔다.
이번에 개발된 나노와이어 기술은 인듐비소나 인듐인과 같은 반도체를 적층시킨 것으로 희망하는 두께의 나노단결정을 제작할 수 있다.
이로써 기존 부품을 극소화할 수 있을 뿐 아니라 나노대의 초소형 전자부품을 새롭게 개발할 수 있을 것으로 예상된다.
이 기술개발에 참여한 라스 사무엘슨 교수는 “이 기술을 이용하면 현재 보편화된 회로기술인 ‘이중 장벽 공명 터널링(DBRT)’을 나노대까지 끌어내릴 수 있을 것”이라면서 “특히 나노와이어와 소형 포토닉 디텍터, 칩 등을 이용한 극소형 LED를 제작할 수 있다”고 밝혔다.
사무엘슨 교수는 그러나 “기술의 완전한 상용화는 양자 반도체 등 다른 나노기술의 발달이 어느 정도 수준에 도달해야 한다는 점에서 5년 이후나 가능할 것”이라고 덧붙였다.
<허의원기자 ewheo@etnews.co.kr>