인텔이 세계에서 처음으로 90㎚ 공정기술을 이용한 반도체를 대량 생산할 전망이다.
로이터는 인텔이 90㎚ 공정기술을 내년 하반기까지 도입키로 했으며 이와 관련된 각종 첨단 기술 등에 대한 상세한 내용을 밝혔다고 보도했다.
인텔은 성명서를 통해 “새 공정에는 고성능·저전력 트랜지스터, 스트레인드 실리콘(strained silicon), 고속 구리 인터커넥트, 저k유전체 재료 등의 기술이 통합된다”며 “이같은 기술들이 하나의 제조 공정으로 통합되는 것은 처음”이라고 밝혔다.
이와 관련, 인텔의 공정 아키텍처 및 통합 담당 이사인 마크 보어는 “내년이면 인텔은 처음으로 대량 생산이 가능한 90㎚ 공정기술을 확보하는 첫 회사가 될 것”이라고 강조했다.
인텔의 이번 발표는 처음으로 향후 도입 기술에 대해 언급했다는 점과 대부분의 반도체 업체들이 수요 침체로 투자를 축소 또는 보류하고 있는 상황에서 나온 것이라는 점 때문에 주목받고 있다. 인텔은 이번 발표에 앞서 향후 2년간 제조기술 확보를 위해 125억달러를 투자하겠다고 밝힌던 바 있다.
투자은행인 SG코웬은 “인텔이 앞으로 사용하게 될 기술에 대해 상세하게 공개하는 것은 이번이 처음”이라고 말했다.
인텔에 따르면 새 공정은 머리카락 굵기의 2000분의 1에 불과한 50㎚의 트랜지스터를 만들 수 있도록 해준다. 또 스트레인드 실리콘은 IBM이 처음으로 도입한 기술로 전류를 빠르게 흐르도록 해 컴퓨팅 성능을 높여주는 기술이다. 인텔은 이밖에 또 한 개의 칩에 마이크로프로세서와 메모리, 무선 네트워킹 등 여러 가지 기능을 조합하는 기술도 개발중이다.
인텔은 90㎚ 공정기술과 함께 8인치 팹인 오리건과 뉴멕시코 공장을 12인치 팹으로 전환해 이를 통해 생산단가를 최소 30% 절감한다는 목표다.
한편 인텔이 전세계 10여개의 제조공장에서 직접 반도체를 생산하는 전략을 고수하고 있는 데 비해 인텔의 최대 경쟁 업체인 AMD는 90㎚ 공정기술을 확보하기 위해 대만의 파운드리 업체인 UMC와 협력하고 있다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>