후발 수탁생산(파운드리)업체들이 130㎚ 공정기술에 대한 적극적인 투자로 선두 따라잡기에 나섰다.
실리콘스트래티지스는 한국의 동부전자를 비롯, 말레이시아의 퍼스트실리콘, 중국의 SMIC 등 후발 파운드리업체와 일본의 신생 파운드리업체인 트레센티테크놀로지스가 130㎚ 공정기술 개발에 박차를 가하고 있으며 일부는 90㎚ 공정으로도 눈을 돌리고 있다고 보도했다.
후발업체들이 130㎚ 공정에 기대를 걸고 있는 것은 대만의 TSMC와 UMC, 싱가포르의 CSM 등의 선두업체들의 130㎚ 생산라인이 모두 낮은 수율 등의 문제를 겪고 있는 지금이 시장점유율 확대의 호기라고 판단한 데 따른 것이다.
실제 업계 소식통에 따르면 TSMC의 경우 130㎚ 공정기술 경쟁에 가장 앞서 있기는 하지만 아직까지 이 공정의 수율이 50%를 밑도는 상황이다.
대만의 한 애널리스트는 “130㎚ 공정 문제는 설계와 공정상의 문제”라며 “일부 수율 손실은 마스크 세트를 계속 재설계하도록 만든 잘못된 설계에 기인한 것”이라고 지적했다.
동부전자의 사업개발 담당 수석 부사장인 피터 하일렌도 “수율 문제가 후발 파운드리에 문호를 개방했다”고 주장했다.
동부전자는 최근 개최된 ‘FSA 서플라이어스 엑스포’에서 내년초까지 TSMC 호환 130㎚ 공정을 개발하는 것을 포함한 상세한 130㎚ 파운드리 계획을 밝혔다. 이에 따르면 동부전자는 130㎚ 파운드리 공정에서 구리 및 FSG를 지원할 예정이다. 하일렌 부사장에 따르면 이 회사는 아직 130㎚ 공정기술을 확보하지는 못했지만 130㎚에 이어 내년 4분기에 곧바로 90㎚ 공정도 도입하기로 했다.
또 일본의 트레센티는 같은 행사에서 최근 130㎚ 공정의 ‘시생산(risk production)’에 들어갔다고 밝혔다.
트레센티는 히타치로부터 이전받은 기술로 130㎚ 수율 문제를 극복할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 이 회사의 다키자와 겐은 “몇달내에 수율 문제를 해결할 수 있을 것”이라고 말했다.
지난 2000년 3월 히타치와 대만 UMC의 합작사로 출범한 트레센티는 올해초 UMC가 철수하면서 히타치가 경영권을 인수한 회사다.
말레이시아의 퍼스트실리콘은 최근 1억달러 어치의 장비를 발주했는데 이 중에는 130㎚ 공정에 활용할 수 있는 193㎚ 식각장비가 포함된 것으로 알려졌다.
중국의 SMIC는 텍사스인스트루먼츠와 최근 130㎚ 공정을 포함한 고급 파운드리 공정을 공동 개발하기로 제휴를 맺었다.
이스라엘의 타워세미컨덕터와 모토로라도 지난달 기술이전 및 130㎚ 상보성금속산화막반도체(CMOS) 공정기술 라이선스 계약을 체결했다. 모토로라는 구리기술과 130㎚ 하이퍼MOS7 기술을 타워의 팹(FAB)2에 이전하게 된다. 타워세미컨덕터는 하이퍼MOS7 기반의 고객용 프로토타입을 내년 1분기에 내놓을 예정이다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>