DDR-2가 차세대 메모리로 유력시되면서 DDRD램과 RD램 진영간의 해묵은 세력 다툼에 종지부가 찍힐 것으로 전망된다.
EE타임스는 삼성전자를 비롯해 일본의 엘피다, 대만의 난야테크놀로지 등 각국의 주요 메모리 업체들이 모두 차세대 D램 표준으로 DDR-2를 지원할 것이라고 미 새너제이에서 개최된 ‘멤콘(MemCon)’ 콘퍼런스에서 일제히 밝혔다고 보도했다.
3사는 DDR-2 지원 칩세트가 등장함에 따라 올해부터 DDR-2의 시제품을 내놓고 오는 2004년초부터는 모두 대량 생산에 나설 계획이다.
이와 관련, 삼성전자의 미국 법인인 SAS의 부사장인 톰 퀸은 “내년 2분기에 DDR-2를 지원하는 칩세트가 선보이게 되며 이 칩세트는 현재 DDR와도 호환될 것”이라고 설명했다. 실제 이번 행사를 주최한 칩세트 설계 업체인 드날리소프트웨어는 DDR와 DDR-2를 동시에 지원하는 듀얼모드메모리모듈(DIMM) 컨트롤러 코어의 개발을 끝내고 라이선싱에 들어갔다.
또 엘피다메모리 미국법인 부사장인 짐 소가스도 “칩세트 업체에서 설계 작업이 원활히 진행되고 있다”며 “언제 DDR-2 D램을 생산할지 결정하는 단계에 있다”고 말했다. 엘피다는 이미 지난 7월 이후 첫 512Mb DDR-2의 견본을 판매하고 있으며 삼성과 난야는 4분기부터 판매를 시작할 계획이다.
DDR-2는 2비트 프리패치를 사용하는 DDR와는 달리 4비트 프리패치를 채택했기 때문에 동일한 내부 주파수라도 내부 대역폭은 DDR의 2배가 된다. 이 때문에 D램 업체들은 DDR-2 D램 첫 제품도 쉽사리 500㎒의 클록스피드를 넘길 수 있을 것으로 기대하고 있다.
그러나 DDR-2는 코어 전압이 2.5V인 DDR와는 달리 1.8V를 사용하고 512Mb의 대용량 지원을 위해 100㎚ 이하의 공정을 요구하기 때문에 메모리 업체들이 DDR-2로의 전환에 적극적으로 투자하고 나설지는 아직 의문이다. 또 시스템 업체들도 DDR-2를 위한 새로운 주기판과 모듈을 만들어야 하기 때문에 부담스러운 상황이다.
주요 메모리 업체들이 DDR-2의 대량 생산 시점을 2004년 이후로 잡아 놓은 것도 이같은 상황을 염두에 둔데 따른 것이다. 이에 따라 일부 D램 업체들은 과도기 제품으로 400㎒에서 작동하거나 내부 속도가 200㎒인 DDR D램을 준비하고 있다. 이에 대해 소가스는 “167㎒ 이상의 코어 속도를 갖는 DDR D램의 충분한 수율 확보가 어려울 것”이라고 말했다. 그러나 난야와 함께 DDR-400을 앞세우고 있는 삼성의 경우는 4분기에 400㎒ DDR로 DDR 시장의 20%를 점유할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 또 모듈 업체인 킹스턴테크놀로지도 최근 DDR400 듀얼인라인모듈을 시스템 업체나 PC 마니아 등을 대상으로 이미 한정 공급하고 있다며 256Mb와 512Mb 모듈을 4분기에 대량 출하할 수 있는 준비를 마쳤다고 말했다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>