주요 반도체 업체들이 사활을 걸고 시스템온칩(SoC) 개발에 매달리고 있는 가운데 이 기술이 과다한 비용이라는 복병을 만나 사장될 것이라는 주장이 제기돼 논란이 예상된다.
EE타임스에 따르면 인텔의 X스케일 프로세서 코어 설계 담당 매니저인 제이 히이브는 국제반도체회로콘퍼런스(ISSCC)에서 ‘3G 모바일폰용 IC의 미래’를 주제로 한 발표를 통해 “SoC는 디지털 로직을 메모리나 아날로그 회로와 결합시키기 위해 많은 수의 마스크를 사용해야 하기 때문에 사장될 것”이라며 “내가 ‘So3D’라고 부르는 시스템온 3D 패키지를 위한 기술 개발에 나서야할 것”이라고 주장했다.
그는 이에 대한 근거로 자사의 플래시메모리를 통합시킨 휴대폰용 SoC도 많은 마스크 레이어를 사용한다는 점을 들었다.
히이브는 자사의 이 반도체가 오늘날 시장에는 적합하지만 오는 2010년께 등장할 3G 휴대폰은 보다 높은 메모리 집적도를 요구하며 이는 휴대폰의 메모리중 90% 이상이 비휘발성이어야 하는 것을 의미하기 때문에 다른 접근법을 취해야 한다고 지적했다. 그는 대안으로 3D 통합기술을 이용해 비휘발성 메모리의 용량을 늘리는 방안을 제시했다.
히이브의 언급에 앞서 IBM, 집트로닉스 등 일부 반도체 설계 업체는 이미 온칩 디지털 인터커넥트, 아날로그, MEMS, 광전자 디바이스 등을 다이(die)에 마치 하나의 칩인 것처럼 연결시켜주는 3D 반도체 기술을 개발했다고 밝힌 바 있다.
현재의 SoC 기술을 버리고 3D 반도체 기술로 전환하는 데에는 적지 않은 어려움이 따를 것으로 예상된다. 히이브는 “일단 패키지가 아키텍처의 일부분이 돼야 하며 3D 플로어 기획, 라우팅, 평가, 추출 툴, 3D 디버그, 설계 및 교정을 위한 포커스이온빔(FIB) 등이 요구된다”고 설명했다.
그러나 텍사스인스트루먼츠(TI)의 수석 기획 매니저인 애브너 고렌은 SoC가 충분히 경쟁력이 있는 기술이라며 히이브의 주장에 대해 강력히 반발했다. 그는 “TI는 모두 CMOS로 된 단일 칩을 내년에 내놓는데 이 칩은 전력 증폭기와 25개의 능동소자만 칩 밖으로 나오도록 설계됐다”며 “그같은 일은 가능한 것이며 벌어질 일”이라고 설명했다. 그는 또 “TI는 블루투스 분야에 이어 이제는 휴대폰을 위한 CMOS SOC를 내놓을 것”이라며 “설계팀이 GSM 휴대폰을 위해 베이스밴드 기능과 디지털 라디오, 통합관리 기능 등을 통합시키고 있다”고 덧붙였다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>