인텔과 AMD, ST마이크로 등 휴대폰용 노어(NOR:코드저장)형 플래시메모리업체들이 수익성 악화를 개선하고 대용량·고집적화의 한계를 극복하기 위해 그동안 전략적으로 개발해왔던 신기술들을 본격 양산에 적용하고 나섰다.
17일 관련업계에 따르면 인텔과 AMD는 최근 급격한 가격하락과 삼성전자·도시바 등 낸드(NAND:데이터저장)형 업체들의 공략에 대응해 ‘멀티레벨셀(MLC)’과 ‘적층패키지(CSP)’ 기술로 탈출구를 찾고 있다.
인텔코리아(대표 김명찬)는 최근 플래시메모리와 S램 등 휴대폰에 필요한 메모리를 한 패키지내에 쌓아 올린 ‘초박형 적층 칩스케일패키지(UT-SCSP)’를 선보였다. 이 패키지는 인텔이 휴대폰용으로 초소형화하기 위해 최대 5개의 메모리 칩(die)을 적층하면서도 두께는 1.2㎜ 수준으로 낮춘 것이 특징. 새로운 절연물질과 스크린 기술을 도입해 웨이퍼 자체를 얇게 만들었다. 인텔은 여기에 1셀에 2비트 메모리를 저장할 수 있는 ‘MLC’기술과 0.13㎛급 공정을 적용해 같은 집적도의 플래시메모리의 크기를 4분의 1 수준으로 줄였다.
최근 후지쯔와 플래시메모리 통합법인을 설립키로 한 AMD는 ‘미러비트’ 기술로 대응중이다.
AMD코리아(대표 정철화)는 이 기술이 CMOS 플로팅게이트를 절반으로 분리, 반사시켜 2배의 메모리를 충전할 수 있도록 한 것이라고 설명했다. AMD는 2005년에는 1셀에 4비트까지 충전할 수 있는 후속 기술을 내놓을 계획이다. 현재 256Mb를 양산중인 AMD는 4분기에는 0.13㎛ 공정을 적용한 512Mb 플래시를 먼저 출시해 시장을 선점하는 한편 듀얼뱅크, 버스트모드, 멀티칩패키지(MCP), 칩스케일패키지(CSP) 등 다양한 고객맞춤형 제품으로 수익성을 제고한다는 전략이다.
ST마이크로일렉트로닉스코리아(대표 이영수) 역시 최근 MLC기술과 0.15㎛ 공정을 적용한 128Mb 집적도의 플래시메모리를 내놓았다. 코드와 데이터를 동시에 저장하면서 집적도를 높인 이 제품을 바탕으로 ST는 PDA·휴대폰·스토리지 등 휴대기기용 시장을 확대하는 한편, 하이닉스반도체와 낸드형 응용기술을 공동 개발해 플래시메모리 제품군을 다양화시킬 계획이다.
김현태 인텔코리아 통신제품군 기술담당 이사는 “MLC기술과 초미세회로공정의 도입, 초박형 패키지 기술은 휴대폰용 메모리를 고집적화하면서도 동일 웨이퍼에서 최대 4배의 제품을 생산하고 제품군도 다양화할 수 있기 때문에 원가경쟁력이 높아진다”면서 “내년이면 싱글레벨셀 노어형 메모리가 모두 MLC 제품군으로 대체돼 수익성이 크게 개선될 것”이라고 말했다.
<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>