실리콘게르마늄 파운드리 전문업체인 재즈세미컨덕터가 130나노 공정을 사용한 세계 초고속 실리콘게르마늄(SiGe)을 개발했다고 EE타임스가 보도했다.
이에 따르면 캘리포니아 뉴포트비치에 소재한 재즈는 현재 가장 빠른 속도인 200기가헤르츠(㎓) 실리콘게르마늄보다 1.5배 정도 빠른 300㎓급 제품을 130나노 공정에서 생산하는데 성공했다고 밝혔다.
이 회사는 초기샘플인 프로토타입을 내년에 우선 발표할 예정이다. 재즈는 이번 130나노의 300㎓ 실리콘게르마늄과 함께 180나노 공정을 사용한 100㎓ 제품도 함께 개발했다고 설명했다.
실리콘게르마늄은 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge) 원자를 합성해 만든 반도체로 소자의 고속동작을 구현할 수 있는데 재즈는 이의 시장규모가 올해 4억달러에서 내년에는 5억달러로 늘어날 것으로 보고 있다.
한편 IC인사이츠에 따르면 올 상반기 순수 파운드리 시장에서 재즈는 9000만달러 매출로 업계 6위를 기록했다.
<방은주기자 ejbang@etnews.co.kr>