일본의 반도체업체인 엘피다메모리가 내년초부터 1기가비트급 DDR2 D램의 양산을 개시할 계획이라고 니혼게이자이신문이 9일 보도했다.
이에 따르면 엘피다의 DDR2 D램은 히로시마 공장의 0.1마이크론 공정에서 생산되며 1.8V의 전압에서 초당 533Mbps의 입·출력 속도를 낼 수 있다.
한편 엘피다메모리의 사카모토 유키오 사장(CEO)은 8일 기자회견에서 “현재까지 자금 1600만엔을 조달했으며 이달말까지 200만엔을 추가로 조달할 수 있을 것”이라고 밝혔다.
<성호철기자 hcsung@etnews.co.kr>