일본 도시바와 소니가 회로 선폭 65나노미터(㎚)의 차세대 반도체 제조 공정에서 생산효율성을 2배 가량 높일 수 있는 제조기술을 개발했다고 니혼게이자이신문이 보도했다.
양사가 개발한 신기술은 고밀도 배선이 요구되는 차세대 반도체에서 그동안 과제로 지적돼 온 배선 손상에 따른 높은 불량률 문제를 해결해 주는 것으로, 특히 내년 상반기 중 65㎚ 반도체의 양산에 나설 예정인 이들 두 회사의 제조 비용 부담을 크게 덜어줄 것으로 기대된다고 이 신문은 전했다.
일반적으로 첨단 반도체에서는 소자를 구성하는 몇 개의 층에 각각의 배선을 설치하고 층 사이에 ‘층간 절연막’이라는 막을 끼워 절연하고 있는데, 65㎚ 반도체의 경우 90㎚ 반도체에 비해 배선 밀도가 높아 가공 후 배선 재료가 벗겨져 나가는 문제가 발생한다. 신기술은 절연 층을 만든 후 전자빔을 소자에 쏘아 그 강도를 높여 배선 재료가 벗겨져 나가는 일이 없도록 했다. 또한 전자빔이 트랜지스터 등에 미치는 영향도 없다.
도시바와 소니측은 현재 시험 제작 단계에 있는 65㎚에서는 불량률이 높아 생산효율이 10∼30% 정도로 매우 낮지만 신기술을 이용하면 2배 정도 높일 수 있고, 양산 단계에서도 90㎚ 반도체에서와 비슷한 수준의 생산 효율을 확보할 수 있다고 밝힌다.
명승욱기자@전자신문, swmay@