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국내 주요 반도체업체가 강유전체메모리(F램)를 활용하는 차세대 전자태그(RFID) 칩 주도권 경쟁에 나선다.
29일 관련 업계에 따르면 하이닉스반도체는 서울대 반도체공동연구소와 협력해 2007년 개발을 목표로 RFID용 F램 개발을 추진하고 있다.
하이닉스는 클래스2급 1차 버전을 내년까지 개발, 세계 RFID 식별체계 표준화 기구인 ‘EPC글로벌’을 통해 세부 규격이 확정되는 대로 시제품을 선보일 계획이다.
하이닉스는 이미 32M F램을 자체 개발한 실적이 있으나 RFID용 F램을 개발하기 위해 자사가 보유한 F램 라인을 서울대 반도체공동연구소에 기증, 지난해부터 공동 연구를 진행하고 있다.
EEP롬 임베디드 RFID 칩을 출시하면서 클래스1급 RFID 시장에 진출한 삼성전자는 F램 임베디드 RFID 칩(클래스2급) 개발도 병행하면서 차세대 RFID 시장 개막에 대비하고 있다.
삼성전자 관계자는 “아직 공식적으로 표명할 단계는 아니지만 F램이 클래스2급 RFID 시장에서 유력한 소자가 될 것은 분명하다”며 “내부적으로 준비중이며 기술적으로도 해외 기업들에 비해 뒤질 것이 없는 상태로 시장성에 대한 확신과 표준이 확정되는 시점을 저울질하고 있다”고 밝혔다.
현재 F램 임베디드 클래스2급 RFID용 칩 개발에는 국내 기업 외에도 일본 후지쯔, NEC 등이 시제품 개발을 추진하면서 시장 선점을 노리고 있다.
F램이 유력 소자로 대두되고 있는 클래스2급 RFID 칩은 정보 입출력이 자유로운 하이엔드급으로, 입력 전용인 클래스1급과 달리 응용 범위가 넓어 고부가가치 시장을 형성할 것으로 기대된다.
심규호기자@전자신문, khsim@