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차세대메모리의 유력 후보로 부상하고 있는 저항변화메모리(Re램·Resistance Random Access Memory)의 핵심 기술이 국내 연구진에 의해 세계 최초로 개발됐다.
산업자원부 차세대 비휘발성 메모리사업단 국내 연구팀(팀장 황현상 광주 과학기술원 교수)은 Re램 소자의 핵심 원천기술을 개발, 7일(현지시각) 미국 워싱턴 DC 힐튼호텔에서 열린 국제전자소자회의(IDEM)에서 발표했다.
Re램은 현 주력 비휘발성메모리인 플래시메모리의 속도 및 대용량화의 한계를 모두 극복하는 ‘포스트 플래시메모리’ 제품군의 하나여서 이번 기술에 반도체업계의 이목이 집중되고 있다. 특히 이 기술을 채택하면 국제기술로드맵(ITRS)이 제시한 Re램의 실용화 시기(2012년)를 2∼3년 앞당길 수 있다.
황현상 교수는 “이번 기술은 Re램의 핵심 기술을 개발해 그 성능을 검증한 수준”이라며 “상용 제품은 산업계의 몫이지만 Re램의 가능성을 확인했다는 데서 의미를 찾을 수 있을 것”이라고 밝혔다.
황 교수팀이 선보인 핵심기술은 △‘0(off)’과 ‘1(on)’ 상태를 번갈아 작동하며 데이터를 저장하는 메모리 특성과 관련된 핵심물질(단결정 스트론튬타이타늄옥사이드(SrTiO3) 개발과 △이 물질의 고유 특성이 유지되도록 하는 표면처리공정이 주요 내용이다.
연구팀에 따르면 이 물질과 공정을 통해 제작된 단위 소자(cell)는 △데이터의 저장상태가 10년 이상 유지되고 △1000만번(10의 7승) 이상의 쓰기·지우기 작동이 가능한 것으로 확인돼, 실용화 가능성이 매우 높은 것으로 분석됐다. 현 주력 비휘발성메모리인 플래시메모리는 정보저장 10년, 쓰기·지우기 작동 10만번(10의 5승) 수준이다.
차세대 비휘발성메모리사업단 측은 “비슷한 연구는 미국 IBM, 일본 샤프 등을 비롯해 삼성전자 등에서도 추진중이나 아직까지 실용화가 가능한 수준의 연구 실적은 전무한 상태”라며 “국내 연구팀에 의해 세계 최초로 안정화된 저항변화 물질과 공정 개발에 성공함에 따라 핵심 원천기술의 선점 및 테라비트급의 고용량 차세대메모리 상용화의 시기를 최소 2∼3년 정도 앞당길 것으로 예상된다”고 밝혔다.
심규호기자@전자신문, khsim@