관련 통계자료 다운로드 주요 업체별 반도체 공정기술 개발 시기
지난해 삼성전자에 이어 올해 인텔, AMD까지 60나노대 공정체계를 갖추면서 본격적인 60나노 반도체 시대 개화를 예고하고 있다.
반도체 업계 1위 인텔이 65㎚ 공정의 노어 플래시 메모리를 개발, 연내 양산을 목표로 하고 있으며 AMD도 최근 65나노 테스트 칩을 내놓은 데 이어 내년 본격 생산에 들어간다.
이미 지난해 60나노 공정 낸드 플래시를 개발한 삼성전자는 최근 퓨전메모리인 원낸드까지 70나노 공정을 적용하는 등 첨단 기술 적용을 더욱 가속화하고 있다.
65나노 공정을 활용하면 현행 90나노 기술보다 속도는 2배 이상 빠르고 전력소비는 20% 줄이며, 1개 웨이퍼 당 칩 생산량도 2∼3배 이상 늘리는 등 생산성을 향상시킬 수 있다.
◇<>인텔, 최초 65나노 적용 노어 플래시 개발=인텔은 5일 세계 최초로 65나노 1기가비트 노어 플래시 메모리 칩을 개발, 2분기말 제조업체들에게 샘플을 공급하고 이스라엘 공장에서 본격 생산을 시작할 예정이라고 밝혔다. 인텔은 이에 앞서 지난해말 노어 플래시와는 별도로 PC 업체들을 대상으로 65나노 칩을 공급하기 시작했다.
인텔의 노어 마케팅 이사 앨런 홈즈는 “65나노로 옮겨가면 플래시메모리의 생산성을 향상시킬 수 있다. 우리는 경쟁사에 비해 65나노로 빠르게 전환하고 있다”고 말했다.
폴 오텔리니 인텔 최고경영자(CEO)는 지난달 새로운 칩 디자인과 결합된 제조 과정 선도가 시장 점유율을 올리는 데 관건이라고 말한 바 있다.
인텔은 이번 65나노 뿐 아니라 약 2년마다 공정기술을 업그레이드 하고 있다. 2002년 130나노 플래시 메모리를 개발했으며 2004년 90나노 노어 플래시 메모리를 개발, 2005년부터 양산했다.
◇<>삼성, 낸드 넘어 원낸드도 첨단 공정 적용=낸드 플래시 분야 세계 1위인 삼성전자는 지난 4일 차세대 퓨전메모리인 원낸드에 70나노 공정 적용을 발표하면서 낸드 플래시 포함 주력 메모리 2개 제품군을 최첨단 70나노 공정 시대를 열었다.
삼성은 2001년부터 2005년까지 매년 공정기술을 세계 최초로 개발하며 업계를 선도해 왔다. 2001년 100나노 기술을 처음 개발한 데 이어 2002년 90나노, 2003년 70나노, 2004년 60나노에 이어 지난해에는 50나노 공정 기술까지 개발했다. 양산체제로의 전환은 대체로 개발 후 2년 후에 적용되고 있으며 2005년에는 70나노 낸드 플래시를 양산했다.
◇<>AMD, 공정기술 업그레이드 박차=AMD는 이주초 드레스덴 소재 팹36공장에서 65nm공정을 이용한 프로세서 테스트칩을 내놓고 하반기에 출하를 시작한다고 밝혔다. 이어 내년 중반에 기존 드레스덴공장의 모든 라인을을 모두 65나노 공정으로 전환한다는 계획이다.
지난해 10월 300mm 90나노 양산을 시작한 AMD가 곧바로 다음 단계인 65나노 공정으로의 전환을 서두르는 이유는 한때 월간 프로세서 판매량에서 인텔을 추월한 상승세를 이어가겠다는 전략으로 풀이된다. AMD는 2008년 PC용 프로세서 중 30%의 점유율을 올릴 계획이다.
전경원기자@전자신문, kwjun@