관련 통계자료 다운로드 차세대 메모리 후보군과 특징
소니가 차세대 메모리 가운데 하나인 ‘M램’ 실용화를 크게 앞당기는 기술을 개발했다.
소니는 최근 M램 성능의 중요한 지표가 되는 집적 전류치를 기존보다 10분의 1 이하로 낮춘 기술을 개발해 M램 실용화의 문을 활짝 열었다고 니혼게이자이신문 등 일본 언론이 일제히 보도했다.
지금까지 M램은 정보 입력에 필요한 ‘전류치 절감’이 실용화의 최대 과제였는데 이번 소니의 M램은 100ns(나노초)당 400∼500마이크로암페어(㎂)로 집적 전류치를 크게 낮췄다.
최근 소니는 4KB의 실험 M램을 새로운 기술 방식으로 작동시키는 데 성공했다. 이에 대해 회사 측은 “소자 재료 등을 최적화함으로써 향후 2∼3년 이내 집적 전류를 절반 이상 더 낮출 수 있다”고 강조했다.
M램은 전원을 꺼도 정보가 그대로 남아 있고 고속 작동도 할 수 있다. 또 몇 번이라도 정보 입력을 할 수 있는 등 기존 메모리의 장점을 다 가지고 있는 최첨단 메모리다.
현재 주류인 D램 대신에 PC의 메모리로 사용할 경우 전원 버튼을 누른 순간 응용 소프트웨어(SW)를 바로 사용할 수 있을 정도다. 이 때문에 전 세계 전자 및 반도체업체가 실용화를 노리고 연구에 박차를 가하고 있다.
소니는 “M램은 메모리 시장에서 종적을 감추다시피 한 일본 반도체산업에 새로운 활력소를 줄 것”이라며 “이르면 2007년 말 정식 출하가 기대된다”고 밝혔다.
명승욱기자@전자신문, swmay@