중국이 미국 반도체업계에 중국 내 연구개발(R&D)시설 설립 등 양국 간 협력 증진을 요청했다.
EE타임스는 16일(현지시각) 쩡페이옌 중국 국무원 부총리가 지난 목요일 미국반도체산업협회(SIA) 대표단을 만난 자리에서 이 같은 내용을 요청했다고 신화통신을 인용해 보도했다.
쩡 부총리는 이 자리에서 미국 반도체기업이 자국 엔지니어를 훈련시킬 수 있는 연구개발(R&D)시설을 중국에 설립하기를 바란다고 말했다.
아울러 중국 측은 지적재산권 보호를 위한 노력을 강화하기로 약속했다. 중국 내 지적재산권 보호수단의 부재와 잦은 저작권 침해는 그동안 중국에 대한 첨단기술 투자를 가로막는 가장 큰 원인으로 지적돼 왔다.
쩡 부총리는 이날 “중국은 정보산업 발전을 매우 중요하게 생각하고 있으며 그런 측면에서 국제 협력을 증진하고 있다”고 밝혔다. 또 “SIA의 양국 협력 노력이 양국은 물론이고 아태지역 경제 성장에도 도움을 줬다”며 SIA 측에 감사를 표했다.
한편 중국 반도체업계는 최근 전 세계 반도체업계와 협력을 강화하고 있다.
중국반도체산업협회(CSIA)는 지난 14일 세계반도체협의회(WSC)에 가입하라는 요청을 수락했다.
WSC는 지난달 연례 모임에서 만장일치로 CSIA 측에 가입을 요청했었다. WSC는 세계 반도체산업협회 간 협력 증진을 위해 1996년 설립된 단체로 SIA·유럽반도체산업협회(ESIA) 등 세계 주요 반도체 관련 기구를 회원으로 두고 있다.
최순욱기자@전자신문, choisw@