일본 엘피다메모리가 D램 생산량을 10% 늘릴 계획이라고 니혼게이자이신문이 다우존스를 인용, 22일 보도했다.
신문에 따르면 엘피다메모리는 D램 분야 선두 업체인 삼성전자를 추격하기 위해 증량을 결정했다. 회사 측은 이에 따라 올 투자액도 1300억엔에서 1500억엔으로 확대한 것으로 전해졌다.
한편 엘피다메모리는 2008년 9월로 예정했던 300㎜ 웨이퍼 사용 일정을 내년 3월로 6개월 앞당겼다. 300㎜ 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 반도체 칩 생산량은 기존 200㎜ 웨이퍼에 비해 2.5배 많아 생산 비용을 크게 절감할 수 있다. 첨단 제조기술이 이용되기 때문에 차세대 반도체 생산에도 유리하다. 엘피다는 70나노미터(㎚) 회로선폭 기술에 기반한 300㎜ 웨이퍼를 제품 생산에 사용할 계획이다.
류현정기자@전자신문, dreamshot@