지난해 10월 삼성전자를 추월하기 위해 2009년 30나노(nm) 낸드 플래시 메모리 생산을 선언한 바 있는 도시바가 올 3분기부터 43나노 공정 원칩 32기가비트(Gb) 낸드 플래시 메모리를 양산한다고 10일 공식 선언했다.
회사는 이의 일환으로 43나노 원칩 16Gb 낸드 플래시 메모리를 생산, 지난 7일부터 샘플 출하를 시작했다. 이 제품은 칩 면적을 기존 56nm 제품에 비해 30% 가량 줄여 휴대폰이나 MP3플레이어의 소형화 추세를 가속화할 전망이다.
43나노 공정 16·32Gb 낸드 플래시 메모리 제품은 도시바가 지난해 말 본격 가동한 미에현 요카이치시 제4공장에서 양산된다. 세계 시장에서 낸드 플래시 메모리 주력 제품은 16Gb로, 32Gb 제품을 양산할 경우 세계 선두 업체인 삼성전자를 따라잡거나 추월할 수 있다는 게 도시바 측의 생각이다.
또 도시바는 미세 기술은 물론 생산량 면에서도 삼성전자를 추월할 수 있도록 2009년 양산이 가능한 메모리 신공장을 이와테현 키타카미시에 7000억엔(6조1676억원)을 들여 추가로 설립할 예정이라고 아사히신문이 전했다.
인근 지역에 도시바 시스템LSI 공장이 이미 가동 중이어서 공장간 시너지 효과도 기대된다. 생산 설비는 협력 관계에 있는 미국 샌디스크와 나눠 부담한다. 신공장이 설립되면 월간 생산 능력은 300㎜ 웨이퍼 기준으로 현재 41만장에서 60만장으로 대폭 늘어난다.
시장조사 업체인 아이서플라이는 최근 일련의 도시바의 공격적인 기술 및 설비 투자로 인해 세계 플래시 메모리 시장 점유율이 지난해 삼성전자 42%, 도시바 27%에서 올 중반께에는 두 회사가 비슷한 비율이 될 것이라는 전망도 내놨다.
한편 삼성전자는 하위권 업체의 추격을 따돌리기 위해 지난해 10월 30나노 64Gb 낸드형 플래시 메모리를 개발한 데 이어 내년 상반기 중에 이를 양산, 도시바와 격차를 6개월 이상으로 벌릴 계획이다.
최정훈기자@전자신문, jhchoi@