IBM이 세계 최소형 SRAM 개발에 성공했다.
EE타임즈는 18일(현지시각) 뉴욕의 IBM연구소가 산학 협력 파트너와 공동으로 0.1평방미크론 크기의 SRAM 셀을 22㎚ 제조 시설에서 개발했다고 보도했다.
이전까지 세계 최소형 SRAM은 IBM이 지난 2004년 개발한 0.143평방미크론 크기의 셀로, 32나노 공정으로 개발됐다.
이번에 개발된 SRAM은 이전 버전 제품과 달리 대량 생산에 적합한 생산 시설을 기반으로 제조할 수 있다고 외신은 전했다.
SRAM의 크기를 축소하기 위해 IBM과 파트너들은 보다 미세한 회로 공정을 가능케 하는 ‘이머전 리소그라피(immersion lithography)’기술과 하이-k 유전체, 메탈 게이트 등을 도입했다고 밝혔다.
프로젝트에 참여한 무케쉬 케어 IBM 프로젝트 담당 이사는 “이번 SRAM 공정의 반도체 소자 게이트 폭은 25㎚보다 작다”며 “이는 불과 몇 년 전까지만 해도 불가능했던 것”이라고 설명했다.
이번 프로젝트에는 AMD·프리스케일·STM·도시바 등 반도체 전문 기업과 뉴욕 알바니의 나노스케일과학기술대학이 참여했다.
IBM은 보다 구체적인 SRAM 셀의 특징을 오는 12월 샌프란시스코에서 열리는 국제전자기기회의에서 공식 발표할 예정이다.
김유경기자 yukyung@