일본 스미토모전기가 발광다이오드(LED) 칩 제조용 6인치 질화갈륨(GaN) 웨이퍼를 세계 처음으로 개발했다.
22일 각종 외신에 따르면 일본 스미토모전기는 최근 백색 LED 칩 제조를 위한 6인치 GaN 웨이퍼 개발을 완료했다. GaN 웨이퍼는 현재 LED 제조용으로 쓰이는 사파이어 웨이퍼를 대체할 수 있는 차세대 소재로, 공정 중 고온으로 인한 화합물 균열 등 사파이어 웨이퍼 단점을 없앨 수 있다.
가격이 높아 고부가가치 레이저다이오드(LD)용으로 주로 활용돼 왔지만, 고출력 LED 칩에도 양산 기술이 점차 접목되는 추세다. 특히 열 분산성을 비롯해 LED 칩의 크기와 출력을 획기적으로 높일 수 있다는 점에서 차세대 소재로 각광받고 있다.
이에 앞서 스미토모전기는 최근 블루레이플레이어에 적용할 수 있는 청자색 레이저용 2인치 GaN 웨이퍼를 세계 처음 양산하기 시작했다. 또 LED 칩용 사파이어 웨이퍼를 대체할 수 있는 백색 LED용 2인치 GaN 웨이퍼도 대량 생산 중이다.
스미토모전기의 6인치 GaN 웨이퍼 개발은 현재 세계 LED업계 양산기술이 대부분 2~4인치 사파이어 웨이퍼를 이용하는 수준에 머물고 있다는 점에서 혁신적 기술로 평가된다. 사파이어 잉곳업체인 미국 루비콘조차 6인치 제품을 근래에 갓 생산하기 시작한 정도다.
서한기자 hseo@etnews.co.kr