하이닉스가 낸드 플래시 수요 증가에 따라 현 8만장 수준인 청주 낸드팹(M11) 생산능력을 연내 10만장으로 늘린다. 이와함께 공정 미세화에도 적극 나서, 낸드 플래시 기술력에서는 세계 최고 기업들과 어깨를 나란히 하겠다는 계획이다.
하이닉스의 한 고위관계자는 “낸드 수요 증가에 따라 올해 M11 캐파를 현재 8만장에서 10만장까지 늘릴 계획”이라고 6일 밝혔다.
하이닉스가 올해 증설에 나서는 것은 낸드플래시가 유일하다. D램부문은 생산캐파를 늘리는 방식대신 미세화를 통해 생산량을 늘리기로 했다.
하이닉스는 낸드팹 생산량 확대와 함께 공정 미세화도 적극적으로 추진키로 했다. 우선 지난해 하반기부터 생산중인 26나노 플래시 생산을 조기에 안정화하고 하반기부터는 20나노 플래시 제품 생산에도 착수할 예정이다. 이 회사는 지난해 4분기 전체 낸드 생산량 가운데 10% 정도가 20나노 제품이었으나 올해 연말에는 70%까지 끌어올릴 계획이다.
한때 20% 가까운 시장 점유율을 기록했던 하이닉스는 한때 한자리 숫자까지 낸드플래시 메모리 점유율이 하락했으나 지난해 20나노급 메모리 양산에 착수하면서 선발업체와의 기술 격차를 줄이는 한편 다시 10%대 점유율로 상승했다.
다만 경쟁사인 삼성전자, 도시바, 마이크론 등은 아예 신규팹을 건설 중이어서 하이닉스의 연내 시장점유율은 10%안팎에서 유지될 전망이다.
하이닉스 측은 “올해는 세계 최고 수준의 기술 리더십을 확보하는 데 초점을 맞추고 팹 증설은 시장 상황에 따라 유동적으로 해나갈 계획”이라며 “기술력이 원하는 수준에 도달할 경우 향후에는 보다 공격적인 투자가 가능해질 것”이라고 말했다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr