나노소자특화팹센터, 중기에 첫 기술 이전

나노소자특화팹센터, 중기에 첫 기술 이전

 나노소자특화팹센터(원장 고철기)가 경기도의 지원을 받아 개발한 조명용 LED칩 제조기술을 도내 중소기업에 이전한다. 센터가 중소기업에 기술을 이전해주는 것은 지난 2003년 센터 설립 이래 이번이 처음이다.

 나노소자특화팹센터는 29일 센터에서 ‘조명용 LED칩 제조공정 기술 이전 협약식’을 갖고, 광교테크노밸리 내 차세대융합기술연구원에 입주해 있는 LED 및 태양전지 분야 중소기업인 한빔에 화합물반도체인 질화갈륨(GaN) 기반의 고효율 청색 LED칩 기술을 이전키로 했다.

 이는 센터가 특허출원중인 전류저지층 최적화를 통한 광출력 효율향상 기술을 기반으로 한 LED 조명 제조기술이다. 이를 통해 제조한 LED칩은 350mA의 인가전류에서 470mW의 광출력과 3.1V의 동작전압을 보인다. 해외 선진사 제품과 비교해도 손색이 없는 수준이다.

 센터는 향후 7개월간의 기술이전 과정을 통해 양산성 기술과 수율·신뢰성 향상을 위한 기술을 전수할 예정이다. 한빔은 기술이전을 받는 조건으로 정액기술료 1억원과 해당 기술을 적용한 칩매출액의 1%를 경상기술료로 납부키로 했다. 한빔은 이전받은 제조기술을 바탕으로 2012년에 약 30억원을 투자해 양산설비를 구축할 계획이다. 회사 측은 양산설비를 정상가동하는 2013년 이후에는 칩 생산으로 약 300억원에 이르는 매출을 올릴 수 있을 것으로 기대했다.

 고철기 원장은 “센터의 설립취지는 화합물반도체 기반의 나노기술 개발 활성화를 통해 기업이 필요로 하는 핵심기술을 조기에 개발하고, 이를 중소기업에 이전해 국내 산업발전의 디딤돌이 되는 것”이라며 “이번 기술이전은 센터에서 개발한 기술을 중소기업에 이전한 첫 사례”라고 강조했다.

김순기기자 soonkkim@etnews.co.kr

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