LG실트론이 `질화갈륨온실리콘(GaN-on-Si)` 웨이퍼 개발에 착수했다. 질화갈륨온실리콘웨이퍼는 발광다이오드(LED)나 고출력 전력반도체 제조용으로 기대되는 새로운 소재다.
12일 관련 업계에 따르면 LG실트론은 미국 비코로부터 질화갈륨(GaN) 유기금속화학증착기(MOCVD)를 최근 구매했다.
이 장비는 `터보디스크 K465i`이란 모델로 실리콘 웨이퍼에 질화갈륨 단결정막을 성장시키는 역할을 한다. LED는 보통 사파이어 웨이퍼를 이용해 만든다. 사파이어 웨이퍼가 고온에 강한 내구성이 지녔기 때문이다.
하지만 사파이어는 기판을 크게 만들기 어렵고 다른 재료에 비해 상대적으로 고가여서 제조 비용이 많이 든다.
때문에 사파이어 웨이퍼 대신 반도체 공정에 사용돼 보편화된 실리콘을 LED 제조 공정에도 적용하려는 연구가 활발한 데, LG실트론도 이에 가세한 것으로 풀이된다.
질화갈륨온실리콘 웨이퍼는 또 고출력 전력반도체를 만드는데도 사용돼 미래 시장 변화에 대한 대응차원으로도 보인다.
전력 반도체는 이미 실리콘 웨이퍼를 사용하고 있지만 자동차나 서버 등 특정 분야에서는 고성능이 요구돼, 질화갈륨을 이용하는 기술이 연구되고 있다.
LG실트론 측은 “질화갈륨실리콘(GaN-on-Si) 웨이퍼 연구개발을 위해 장비를 도입했으며 구체적인 사업 계획은 미정”이라고 전했다.
윤건일기자 benyun@etnews.com
