파나소닉이 지금보다 20배 이상 빠른 차세대 메모리를 개발했다고 니혼게이자이가 22일 보도했다.
파나소닉이 만든 신제품은 저항메모리(Resistive RAM, ReRAM)다. 처리 속도가 빠르고 소비 전력이 적은 차세대 메모리 중 하나다. 전원을 꺼도 데이터가 없어지지 않기 때문에 스마트폰이나 스마트패드에 널리 쓰이는 플래시 메모리 대체 수단으로 각광받고 있다.
파나소닉은 자사 저항메모리가 현재의 낸드 플래시 메모리보다 데이터를 읽고 쓰는 속도 면에서 20배 이상 빠르다고 밝혔다. 트랜지스터가 아닌 양방향으로 전류가 흐르는 다이오드로 전자회로를 만든 기술이 핵심이라고 덧붙였다.
니혼게이자이는 기존 메모리 라인을 그대로 활용할 수 있어서 추가 투자가 거의 필요 없고, 생산비도 플래시 메모리 수준에 불과하다고 전했다. 파나소닉은 데이터 속도에 이어 기억 용량을 늘리는 연구를 이어갈 계획이다.
파나소닉은 연내 양산을 시작할 예정이다. 앞으로 저장 용량이 계속 늘어날 스마트폰과 스마트패드 시장을 집중 공략할 방침이다.
장동준기자 djjang@etnews.com