삼성전자가 IBM, 글로벌파운드리와 인텔에 맞서 20나노 미만의 차세대 로직공정에 적용할 3차원(3D) 칩인 `핀펫(FINFET)` 기술을 공동 개발한다. 삼성전자는 내년 말께 도입되는 20나노 공정까지는 기존 `하이K메탈게이트` 기술을 사용하고 이후 14나노부터 핀펫을 적용할 예정이다.
18일 삼성전자는 최근 IBM, 글로벌파운드리와 공동으로 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 개최한 `커먼 플랫폼 테크놀러지` 포럼에서 이같은 내용의 차세대 파운드리 공정 기술 개발 로드맵을 발표했다.
이 포럼에서 3개사는 현재 38나노와 23나노 공정을 공동 개발해 생산에 적용하고 있으며 올해 말께 20나노 기술을 적용한 시험 제품을 선보이고 내년 말부터 파운드리 서비스를 제공한다고 밝혔다. 20나노 미만 로직공정으로 14나노 핀펫 기술을 공동 개발한다고 발표해 업계의 주목을 받았다.
삼성전자는 20나노 공정까지 기존 `하이K메탈게이트` 구조를 개선해 유지하고 차기 미세공정인 14나노부터 핀펫 구조로 전환한다고 설명했다. 미세 패턴을 만드는 방법(리소그래피)으로 20나노에서는 더블패터닝을 사용하고 14나노는 극자외선(EUV) 도입을 유력하게 검토 중이라고 덧붙였다.
삼성전자 관계자는 “이번 포럼에서 14나노 핀펫 기술이 적용되는 시기는 명확하게 발표되지 않았으나 2~3년내로 가능할 것으로 예상된다”고 말했다.
3사는 이번 포럼에서 차기 파운드리 기술 개발을 확대하기 위해 3사가 공동으로 미국 뉴욕에 파운드리 연구센터인 `테크밸리`를 건립키로 했다.
커먼 플랫폼은 삼성전자 등 3사가 참여하는 차세대 반도체 기술과 솔루션 공동개발 컨소시엄으로 매년 포럼을 개최해 개발 현황 등을 발표한다.
핀펫 기술은 지난해 인텔이 22나노 공정에 적용한다고 밝히면서 차세대 기술로 주목받고 있다. 인텔은 이 기술을 차기 CPU 생산과 최근 재기한 파운드리(위탁생산) 공정에 적용까지 진행하는 것으로 확인됐다.
서동규기자 dkseo@etnews.com
◇용어설명 : 핀펫(FinFET)
핀펫은 `Fin(물고기의 지느러미) Field Effect Transistor`의 약자로 1999년 미국 버클리대에서 처음 개발된 3차원 소자구조의 명칭이다. 이 구조는 2차원 평면 소자구조 크기를 작게 하는 데 한계로 알려진 단채널 효과를 줄이고 작동전류 크기를 증가시키기 위해 개발됐다.