ST마이크로일렉트로닉스코리아(대표 마르코카시스)는 실리콘온인슐레이터(SOI) 기반 모바일용 고주파(RF) 반도체 생산용 공정 플랫폼 `H9SOI_FEM`을 선보였다고 9일 밝혔다.
이 공정은 모바일 기기의 RF 전후단(프론트-엔드)에 포함되는 앰프, 스위치, 튜너를 모두 지원할 수 있다. 4세대(G) 이동통신 롱텀에벌루션(LTE)과 와이파이 등 최신 RF 표준이 각각 다른 주파수 대역을 사용하기 때문에 최신 모바일 기기는 이들을 분리해 인식할 수 있는 추가 회로가 필요하다. 3G 이동통신은 나라별로 최대 5개 주파수 대역으로 나뉘었던 반면 LTE는 40개 이상 대역이 나뉘어 있다. 대역별로 각각 부품을 사용하면 실장 면적이 커지는 단점이 있었다.
SOI 공정은 하나의 반도체 내에서 회로간 전원을 완전히 차단할 수 있어서 전기 신호를 분리해내는 데 유리하다. ST마이크로가 세계 처음 지난 2008년 `H9SOI` 공정을 출시하면서 이 기술을 도입한 이래 모바일 기기용 RF스위치 4억개가 생산됐다.
H9SOI_FEM은 기존 공정을 업그레이드 해 하나의 칩에 다양한 기능을 통합할 수 있도록 한 플랫폼이다. 0.13μm 공정이고 듀얼 게이트 1.2V·2.5V 모스펫(MOSFET)을 지원한다. GO1·MOS·GO2·NLDMOS 등 다양한 형태의 반도체를 지원할 수 있다. RF스위치, 저소음 앰프(LNA), 다중 대역 셀룰러 전력증폭기(MMMB PA), RF커플링, 안테나튜닝, 전원 관리 등 기능을 집적할 수 있다.
오은지기자 onz@etnews.com