두께 0.65㎚(나노미터)의 초박막 반도체 물질로 전자소자를 만드는 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다. 후처리가 필요 없는 패터닝 기법이 적용돼 한꺼번에 많은 양의 소자를 만들 수 있다.
서울대 물리천문학부 이탁희 교수팀은 이황화몰리브덴을 이용한 초박막 전자소자를 제작했다고 7일 밝혔다. 이황화몰리브덴은 단일막 두께가 0.65㎚로 그래핀처럼 얇은 층 구조여서 박막 제작에 유리하다. 그래핀에 없는 반도체 특성도 지니고 있다.
연구진이 개발한 기술은 기판에 이황화몰리브덴을 선택적으로 분포하는 방식이다. 원하는 곳에 원하는 모양으로 분포해 넓게 성장된 물질을 깎아내는 후처리 과정을 생략했다. 제작 목적에 따라 수㎝ 크기로 넓게 분포할 수도 있다. 제작이 간편할 뿐 아니라 순도가 높아 고유 반도체 특성을 잘 살릴 수 있다.
이 교수는 “매우 얇은 반도체 소재 활용을 위한 가능성을 높였다”면서 “실용화를 위해 소자 성능 향상, 공정 간편화, 패키징을 통한 소자 안정화 등의 과제가 남았다”고 말했다.
연구는 미래창조과학부와 한국연구재단이 추진하는 리더연구자지원사업과 선도연구센터지원사업 지원으로 수행됐고, 나노 분야 국제학술지 ‘ACS나노’ 지난달 14일자 온라인판에 실렸다.
송준영기자 songjy@etnews.com