디엔에프가 내년 삼성전자 신규 V낸드 플래시메모리 생산라인에 프리커서를 공급한다. 신규 공급에 힘입어 작년에 기록한 사상 최대 매출(715억원)을 내년에 넘어설 것으로 예상된다.
18일 업계에 따르면 디엔에프는 삼성전자 신규 V낸드플래시 라인에 프리커서를 공급한다. 디엔에프 관계자는 “신규 라인 공급 매출이 내년 초부터 발생할 것으로 보고 있다”면서 “내년에는 700억원대 매출을 회복할 것으로 예상한다”고 말했다.
디엔에프 올해 3분기 누적 매출액은 427억원이다. 증권가는 올해 연간 매출을 500억원대 후반으로 예상하고 있다. 삼성전자 화성 17라인과 평택(18라인)의 V낸드 양산계획은 각각 내년 상반기와 중반이다.
삼성전자 신규 V낸드 라인 가동으로 디엔에프의 DPT재료와 HCDS 공급량이 늘어날 전망이다. DPT재료와 HCDS는 V낸드와 D램 공정 모두에 사용된다.
디엔에프는 DPT(Double Patternig Tech.) 재료 매출 비중이 가장 크다. 올해 3분기 누적매출은 199억원으로 전체 매출의 47%를 차지했다. 디이소프로필아미노실레인(DIPAS)을 주로 사용한다.
삼성전자 36㎚ D램 양산 시기부터 납품을 시작했다. 미국 에어프로덕츠와 함께 공급한다.
DPT 재료는 반도체 패터닝용 희생막 재료다. 빛을 쪼여(노광) 현상(develop)을 끝낸 감광액(PR)을 측면에서 바라보면 기둥 모양이다. 기둥 사이로 가스(건식)나 액체(습식)를 흘려 패턴을 새긴다(식각). 기둥 간격이 좁을수록 더 미세한 선폭 구현이 가능하다.
양산 노광기(액침 ArF)의 물리적 한계치인 30㎚ 이하 선폭 구현에 DPT 재료가 쓰인다. PR 기둥 위로 DPT 재료를 증착한 후에 PR을 없앤다. DPT 재료가 PR역할을 대신하면서 패터닝 선폭이 좁아진다. 가벽(假壁) 역할을 한다고 하여 사이드월(side wall)이라고도 불린다.
헥사클로로디실란(HCDS)은 저온공정 절연막(SiO,SiN)을 형성하는 범용 프리커서다. 덕산테코피아(덕산유엠티)와 함께 삼성전자에 공급하고 있다. 2014년 미국 노바켐을 인수한 원익머트리얼즈는 올해 말 충북 청주시 오창에 3공장을 완공할 계획이다. 3공장에는 HCDS 합성설비가 들어선다. 덕산유엠티는 노바켐에서 HCDS 원료를 공급받아왔다.
3분기 누적 매출비중 22%로 두 번째 하이케이(high-k) 프리커서는 D램 캐패시터 공정에 사용된다. D램 메모리셀은 트랜지스터 1개와 캐패시터 1개로 구성된다. 캐패시터는 전하를 가두는 역할을 한다. 전하 유무에 따라 0과 1의 디지털 신호를 나타낸다.
선폭이 좁아지면서 캐패시터는 더 뾰족해졌다. 상대적으로 유전율(high-k)이 높은 물질로 감싸 터널링(전하가 캐패시터를 빠져나가는 현상)을 해결했다.
하이케이 프리커서(TEMAHf, TEMAHf)는 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 등을 캐패시터 유전막으로 증착시키는데 쓰인다. 디엔에프는 2013년 하반기부터 하이케이 프리커서 매출이 발생했다.
이종준기자 1964winter@etnews.com