IBM은 삼성전자, 글로벌파운드리(GF)와 함께 5나노미터칩 제조가 가능한 실리콘 나노시트(Nanosheet) 트랜지스터 생산 공정 개발에 성공했다고 5일 밝혔다. IBM은 이전부터 IBM연구연합(IBM Research Alliance)이라는 이름으로 삼성전자, 글로벌파운드리와 함께 최첨단 반도체 생산 공정을 공동 개발해왔다. 이 연합은 약 2년 전에도 200억개 트랜지스터를 집적할 수 있는 7나노 테스트 칩 개발에 성공했었다. 이번에 개발한 5나노칩은 300억개의 트랜지스터를 집적할 수 있다.
5나노칩에는 기존 핀펫(FinFET) 아키텍처 대신 실리콘 나노시트 스택을 이용한 새로운 디바이스 구조가 도입됐다. 현재 시장에 나와 있는 핀펫 기반 10나노 칩과 비교했을 때 나노시트 기반 5나노 기술을 사용하면 동일 전력 소모시 성능이 40% 향상되고, 동일 성능에서는 전력 소모량이 75% 감소한다. IBM과 삼성 등은 이번 기술 개발에 극자외선(EUV) 노광 기술을 활용했다고 밝혔다.
IBM은 지난 2014년 7월 향후 5년간 최첨단 반도체 칩 연구개발(R&D)을 위해 30억달러를 투자하겠다고 발표한 바 있다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com