삼성전자가 1테라비트(Tb) 3D V낸드플래시 등 혁신 메모리 기술을 선보였다. 1Tb는 세계 최대 용량을 구현한 것이다.
삼성전자는 8일 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시메모리서밋 2017'에서 △세계 최대 용량1Tb V낸드플래시 칩 △서버 시스템 집적도를 높일 수 있는 NGSFF(Next Generation Small Form Factor) 솔리드스테이트드라이브(SSD) △기존 SSD 대비 성능을 획기적으로 높인 Z-SSD △신개념 데이터 저장방식을 적용한 키 밸류 SSD 등을 공개했다. 1Tb V낸드플래시 16개를 적층하면 하나의 단품 메모리 패키지로 2테라바이트(TB)를 만들 수 있어 SSD 용량을 획기적으로 높일 수 있다. 삼성전자는 이 제품이 적용된 최대 용량 SSD 제품을 내년 본격 출시할 예정이다.
NGSFF SSD는 서버 시스템 내 저장장치 공간 활용도를 극대화할 수 있는 새로운 규격이다. 기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 NGSFF SSD로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상시킬 수 있다. 이날 서밋에서 삼성전자는 16TB NGSFF SSD 36을 탑재한 576TB 시스템을 공개했다. NGSFF SSD는 올해 4분기부터 양산을 시작한다. 내년 1분기 표준화 단체인 JEDEC에서 표준화가 완료될 계획이다.
Z-SSD는 기존 NVMe(Non-Volatile Memory express) 읽기 응답 속도가 7배 빠른 15㎲다. 읽기 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능하다. 삼성전자는 작년 플래시메모리서밋에서 Z-SSD를 처음 선보였다. 현재 다양한 고객사와 협력 방안을 논의 중이다.
키 밸류 SSD는 비정형 데이터(숫자가 아닌 텍스트, 동영상 등) 저장에 특화된 신개념 제품이다. 기존 SSD는 데이터 저장시 특정 크기로 변환하는 과정을 거쳐야 했다. 키 밸류 SSD 기술을 적용하면 별도 전환 과정 없이 다양한 데이터를 그대로 저장할 수 있어 입출력 속도를 높이고 SSD 수명도 늘리는 것이 가능하다.
진교영 삼성전자 메모리사업부장(부사장)은 “V낸드 관련 솔루션을 지속적으로 개발해 향후 인공지능(AI), 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것”이라고 말했다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com