국내 연구진이 디스플레이 편광소재인 반도체 양자 나노막대 성장 원리를 밝혀냈다. 양자 나노막대는 전하수송 효율이 높고, 선형편광 특성을 지진 나노기술 분야 주요 소재다.
한국연구재단(이사장 조무제)은 이도창 KAIST 생명화학공학과 교수팀이 배완기 한국과학기술연구원(KIST) 박사와 함께 반도체 양자 나노막대의 성장 원리를 규명하고, 이를 기반으로 성장속도를 제어했다고 21일 밝혔다.
연구팀은 양자 나노막대 표면에 형성된 유기 리간드 층에서 성장 속도가 좌우되고, 이곳의 결정성장 재료 투과도 차이가 성장속도에 직접 영향을 준다는 사실을 규명했다. 성장 속도를 제어하면 나노 양자막대의 편광도에 변화를 줄 수 있다.
황화카드뮴(CdS) 양자 나노막대의 성장을 관찰한 결과 리간드 층의 밀도가 높은 막대 끝에는 모노머의 접근이 어려워 성장속도가 감소하는 것도 확인했다. 반면에 밀도가 낮은 곳에서는 모노머 공급이 원활해 성장 속도가 빨랐다.
이도창 교수는 “이번 연구는 편광소재로 주목 받는 양자막대를 응용하기 위한 중요한 열쇠가 된다”면서 “나노 양자막대 구조의 미세 설계, 특성강화 연구에 활력을 불러 일으킬 것”이라고 말했다.
대전=김영준기자 kyj85@etnews.com
