대구경북과학기술원(DGIST·총장 국양)은 올해 2학기부터 학부생 4학년을 대상으로 반도체 CMOS(상보성 금속 산화막 반도체) 공정 실습 교육을 실시한다고 27일 밝혔다.
이론 중심 기존 반도체 교육에서 나아간 실습 중심 교육을 통해 차세대 반도체 설계 및 공정에 핵심 인재를 양성할 수 있을 것으로 기대된다.
최근 국제적인 반도체 사업 재편 등으로 국가의 반도체 관련 경쟁력 확보가 매우 중요한 시기다. 그러나, 대부분 대학에서는 석·박사 과정생 조차도 이론에 치중한 반도체 교육을 받고 있다. 이로 인해 관련 반도체 산업계 및 연구 분야에 취업 후 실무와 관련한 장기간 재교육이 필요한 실정이다. 특히 우리나라는 반도체 공정 분야에 기술 강국임에도 불구하고 교육이 주로 반도체 이론에 치중되어 있어 향후 기술 경쟁력 유지가 우려되고 있다.
DGIST는 대학, 차세대 반도체 융합 연구소, 중앙기기센터가 공동으로 학부생 공정 실습 교육을 진행한다. DGIST 학부생들은 스텝퍼(Stepper), 이온 주입 시스템 등 반도체 공정에 필수적이나 학부생이 접해보기 어려운 장비를 포함, 실제 반도체에 필수 구조인 CMOS를 6인치 실리콘 기판에 일관 공정으로 직접 제작해 보고 전기적 특성을 평가하는 교육을 수행한다.
이와 관련해 DGIST는 차세대 반도체 연구 개발을 위해 꾸준히 FAB 시설과 전문기술원을 확보, 대학 최초로 최고 수준 반도체 공정 및 분석 FAB을 구축했다. 또 이를 토대로 '차세대 반도체 융합 연구소'를 개소하는 등 차세대 반도체 개발과 관련한 역량을 강화하고 있다.
장재은 DGIST 정보통신융합전공 교수는 “실제 기업이 원하는 수준의 실무를 위해서는 고가의 반도체 장비와 일관 공정 라인 구축이 필요한데 대학에서 이런 투자가 쉽지 않다”며 “DGIST는 잘 갖춰진 반도체 연구 인프라를 기반으로 내실 있는 융·복합 교육 제공이라는 학교 이념에 맞춰 실무적이며 심도 있는 교육을 제공할 예정”이라고 말했다.
대구=정재훈기자 jhoon@etnews.com
