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에스티아이(STI)가 반도체 핵심 소재인 실리콘카바이드(SiC) 잉곳 파우더를 국산화했다. SiC 파우더는 반도체 웨이퍼 잉곳의 기초 소재로 사용된다. 전량 수입에 의존해 온 품목이다.
에스티아이는 SiC 반도체 잉곳 제조 장비인 '화학기상전송(PVT) 성장로'를 독자 개발하고 SiC 잉곳 파우더 개발에 연구 인력 20여명과 100억원을 투입했다. 1단계로 잉곳 성장으로 기술을 확보한 뒤 이를 기반으로 잉곳 원료인 파우더까지 개발했다.
SiC 잉곳 파우더 국산화로 2000억~3000억원 규모의 수입대체 효과가 나타날 것으로 기대된다. 일본 후지경제연구소에 따르면 세계 SiC 파우더 시장은 올해 2조원대에서 2024년 2조9500억원 규모로 성장할 것으로 전망된다. 이 중 일본 덴소와 퍼시픽, 스미토모화학, 쇼와덴코가 1급 SiC 반도체의 절반 가까이 점유하고 있다.
서태일 에스티아이 대표는 “반도체 장비 테스트를 위해 일본 A사 원료를 수입, 잉곳 성장을 진행했지만 어려움이 있었다”면서 “SiC 고순도 잉곳 제품을 구현하면서 일본 A사 제품(99.8%) 대비 고순도 5N급 잉곳 파우더(99.9998%) 개발에 성공했다”고 말했다.
에스티아이는 반도체 석영유리 전기로, SiC 반도체 성장로 등 장비를 주로 개발해 온 장비기업이다. SiC 잉곳 파우더 개발로 장비와 소재를 아우르는 종합 소부장 기업으로 도약할 방침이다. 에스티아이 이외에 SK실트론, 하나머티리얼즈 등이 반도체 웨이퍼 사업 성과를 기반으로 SiC 웨이퍼와 잉곳, 파우더 국산화에 도전하고 있다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
