알에프세미가 캐나다 갠시스템스(GaN Systems)와 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발을 위한 업무협약(MOU)을 체결했다고 5일 밝혔다.
알에프세미는 자사 패키지 기술을 갠스템스의 소자 기술과 협력해 제품을 개발하고 전력반도체 시장을 확대한다. 갠시스템스는 전력반도체 분야에서 시장을 선도하는 기업으로 꼽힌다. 650V급 GaN 전력반도체 기술을 보유하고 있다.
알에프세미는 최근 특허 등록한 '가변 적층형 방열판 패키지' 기술을 전력반도체 제품 개발에 적용한다. 이 기술은 기존 대비 열 방출이 우수하고 고온에서도 안정적인 동작을 지원한다.
GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 제작돼 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 대비 원가가 저렴하다. 사용 전압은 낮지만 고속 스위칭이 가능해 휴대폰, 노트북, 가전제품 소형 가전에 주로 사용된다. 최근 650V급 GaN 전력반도체는 전기차 내부 전원장치, 자율주행용 라이다 센서로 적용이 확대되고 있다.
시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 전력반도체 시장은 지난해 7800만달러에서 2026년까지 연평균 70%씩 성장해 11억달러에 달할 것으로 전망된다.
이진효 알에프세미 대표는 “차세대 전력반도체인 SiC 전력반도체 파운드리 생산에 이어 GaN 전력반도체 제품 개발을 통해 복합모듈을 제품화해 성장에 기여할 것"이라고 말했다.
송윤섭기자 sys@etnews.com
