SK하이닉스가 3분기 D램 흑자 전환에 성공했다. 지난 1·2분기 연속 적자에서 탈피한 것이다. 지난해 말부터 시작한 감산 효과가 본격화됐고 고성능·고용량 메모리 중심으로 수요가 회복된 것이 주효했다. 전체 영업손실 규모도 대폭 줄여 메모리 반도체 업계 시황이 바닥을 지나 반등 국면에 진입한 것으로 풀이된다.
SK하이닉스는 3분기 매출 9조662억원, 영업손실 1조7920억원의 실적을 기록했다고 26일 밝혔다. 영업손실이 이어졌지만 전분기(-2조8821억원) 대비 적자폭을 크게 줄였다.
특히 D램이 흑자 전환한 것이 주목된다. SK하이닉스 D램 사업은 올해 1분기에 이어 2분기까지 적자를 이어왔다. 3분기 흑자로 돌아서면서 본격적인 실적 반등의 계기를 마련했다는 평가다.
이같은 실적은 차세대 D램 규격인 DDR5 신제품과 인공지능(AI)용 고대역폭메모리(HBM) 판매 호조에 따른 것이라고 SK하이닉스는 설명했다.
DDR5는 인텔과 AMD 등 주요 중앙처리장치(CPU) 제조사가 이를 지원하는 서버용 프로세서를 출시하면서 본격 시장이 개화됐다.
기존 DDR4 대비 수익성이 높은데, SK하이닉스는 3분기 기준 PC·서버향 DDR5가 DDR4 판매를 앞지를 만큼 선제적인 수요 대응에 성공했다.
인공지능(AI) 메모리로 관심 모은 HBM 역시 D램 흑자 전환의 일등공신이다. 최근 AI 서버 투자가 세계적인 추세로 자리잡으면서 핵심 메모리인 HBM 수요가 급증하고 있다. 현재 양산되는 HBM 중 가장 최신인 HBM3는 SK하이닉스가 시장 주도권을 쥐고 있다. DDR5와 HBM을 앞세운 SK하이닉스 D램은 2분기 대비 출하량이 20% 증가했고, 평균판매가격(ASP)도 10% 상승했다.
다만 DDR5와 HBM 등 고성능·고용량 메모리는 사실상 재고가 없을 만큼 시장 수요가 커졌지만, 기존 세대인 DDR4와 낸드 쪽에서는 수요 회복이 더디다. 재고 소진도 느리게 진행되고 있다고 SK하이닉스는 밝혔다.
과거 반도체 시황이 급격한 침체 후 급반등하는 'V자형' 사이클였다면, 이번에는 완만한 회복세인 'U자형'에 가깝다는 것이 중론이다. SK하이닉스는 4분기 역시 D램은 분기 10% 출하량 상승을 예상했지만 낸드 경우 회복세가 약해 10% 출하량 감소를 전망했다.
SK하이닉스는 이같은 시장 흐름에 대규모 설비 투자로 생산 능력을 키우기보단 고수익 첨단 공정 전환에 무게를 둘 방침이라고 강조했다. 차세대 D램(1a와 1b)과 HBM3E 양산 능력 확보에 투자를 집중할 전망이다.
특히 HBM 메모리 적층에 필요한 실리콘관통전극(TSV) 등 첨단 패키징 기술 투자를 늘릴 계획이다. 현재 SK하이닉스 HBM3와 HBM3E 생산량이 모두 주문완료(솔드아웃) 된 상태라 시장 대응을 위해서는 추가 투자가 필요한 상황이다.
SK하이닉스는 “내년 설비투자는 올해 대비 증가할 것이지만 투자 효율과 재무 건전성을 고려해 증가분을 최소화하겠다”고 밝혔다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
