경계현 삼성전자 DS부문 대표가 26일 제 16회 반도체의 날 기념식에서 금탑산업훈장을 받았다.
반도체의 날은 산업통상자원부와 한국반도체산업협회 공동 개최하는 행사로 반도체 산업 발전에 기여한 유공자를 대상으로 포상을 진행한다. 경 대표는 반도체 산업에서 34년 이상 몸 담은 전문가로, 차세대 기술 독자개발 역량 강화 및 시장 창출로 글로벌 기술 경쟁력을 확보한 성과를 인정받았다.
경 대표는 세계 최초 V낸드 기술 개발을 통한 3차원 메모리 시장 창출로 한국 반도체 산업 발전에 기여했다. 차세대 트랜지스터 구조인 MBCFET GAA 기술을 적용한 3나노 파운드리 공정을 업계 처음으로 양산하는 등 기존 핀펫 트랜지스터의 기술적 한계를 극복함과 동시에 선제적 파운드리 기술로 기술 리더십 확보 및 사업 경쟁력 강화한 점을 인정받았다.
한국 반도체 산업 경쟁력을 강화하기 위해 차세대 반도체 연구개발 단지 건설 추진하고 평택 3라인 낸드플래시 양산 시설 구축 및 가동, 차기 라인투자 추진으로 국내 반도체 산업 발전에 기여한 점도 높은 평가를 받았다. 또 국내 반도체 생태계의 글로벌 경쟁력 확보를 위한 상생협력을 확대했다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
