인피니언 테크놀로지스는 차세대 실리콘 카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET) 트렌치 기술을 적용한 '쿨SiC™ 모스펫' 650·1200V 2세대 제품을 출시한다고 11일 밝혔다.
2세대 제품은 이전 세대 대비 저장 에너지와 전하 같은 MOSFET 주요 성능을 최대 20% 개선했다. 에너지 손실을 낮추고 전력 변환 효율을 높였다.
인피니언은 전기차 직류(DC) 급속 충전기에 적용 시 이전 세대 대비 전력 손실을 최대 10%까지 낮춰 폼팩터를 키우지 않고 충전 용량을 높일 수 있다고 설명했다. 또 전기차 트랙션 인버터에 적용하면 주행 거리가 늘고, 태양광 인버터는 높은 전력을 유지하면서 크기를 줄일 수 있다고 부연했다.
박진형 기자 jin@etnews.com
