네패스는 고대역폭메모리(HBM) 도금액을 양산한다고 4일 밝혔다.
도금액은 10나노미터(㎚) 이하 미세공정에 특화한 제품으로 DDR5 이후 제품과 HBM 등에서 사용한다고 설명했다.
회사는 2년 전 도금액을 국산화해 초도 생산해왔고, 최근 국내 고객사 HBM용 실리콘관통전극(TSV) 공정에 채택돼 양산을 본격화한다고 덧붙였다.
네패스는 올해 450억원 규모 도금액 매출을 기대했다. 또 매년 30-40% 이상의 높은 성장률을 예상했다.
한편 네패스는 화학연구소와 협업해 핵심 기능성 재료 중 하나인 PSPI(Photosensitive Polyimide) 1차 개발도 완료했다도 전했다. 복수의 대만 업체에 샘플을 제공한 상태다.
박진형 기자 jin@etnews.com
